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3D Stacking Enabled Non-Volatile Multi-Level Optically/Electrically Writeable/Readable Memory
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AI
DOI：10.1002/admt.202401428.png)
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摘要
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在信息快速发展和人工智能蓬勃发展的时代背景下，数据通信的需求不仅体现在更快的传输速度上，还包括更高的存储和安全要求。本研究提出了一种由量子点发光二极管（QLEDs）（ITO/P3HT-COOH/(CdSe/ZnS) QDs/ZnO/Ag）、电阻式随机存取存储器（RRAM）（Ag/PMMA/Au）和有机太阳能电池（OSCs）（Au/ZnO/P3HT:PCBM/MoO3/Ag）组成的3D堆叠光电存储器件的首次尝试。该光电存储器件可通过调节输入电压和/或外部光源的强度输出光学和电信号。当RRAM处于高阻态时，其高电阻会阻止QLED发光。只有当RRAM被激活和/或OSC暴露在足够强的外部光源下时，QLED才会发光。该光电存储器件通过调节外部电压和/或外部光源强度来实现光学和电信号输出的调节，从而表现出多级性能，并实现更高的存储密度和更快的传输速度。此外，该器件还具有高开/关比，并支持并行光电读取。这项创新技术为未来先进科学与技术的发展开辟了更广阔的前景。
Keyword:
3D stacking
data communication
information encryption
OSC
photoelectric memory device
QLED
RRAM