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A CO2 Plasma Based Room-Temperature Copper Etch Process
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DOI：10.1149/2162-8777/ae46dd.png)
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摘要
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使用二氧化碳（一种主要温室气体）作为氧源，在室温下操作的等离子体铜刻蚀工艺中制备了细铜线。铜薄膜被氧化成粗糙多孔的氧化物薄膜，其中含有小尺寸的Cu₂O晶体，并伴有明显的体积膨胀。氧化机理与O₂等离子体氧化过程类似，但由于活性氧元素供应受限以及表面被CO和CO₂物种堵塞，其反应速率较慢。这些发现表明，其他含氧气体可用于等离子体铜互连的制备。
Keyword:
etching
etching - plasma
microelectronics - semiconductor processing
期刊
IF:
2.2
论文数:
266
被引数:
7.8K
机构
引用论文
Energy and temperature dependent sticking coefficients of CO on ultrathin copper layers on Ru(001)
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