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A Design-Technology Co-Optimization Framework Based on Process-Parameter Sensitivity Analysis
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AI
DOI：10.3390/electronics15163553.png)
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摘要
En 中文
本文提出了一种适用于先进技术节点的设计-技术协同优化（DTCO）框架，可加速该类节点的工艺优化探索。开发针对BSIM-CMG模型的自动参数提取算法，并结合预测神经网络，显著缩短了DTCO工作流程周期。基于数据驱动的关键电学参数对工艺变化的敏感性分析，提供了优化探索路径，指导工艺参数的优化。以14 nm节点13级环形振荡器电路的优化为例，采用DTCO框架制定针对最小功耗和最大性能要求的Hfin工艺条件。该框架具有良好的可移植性，可扩展至其他先进节点及新兴器件架构的设计-技术协同开发。
Keyword:
DTCO
TCAD
FinFET
compact-model parameter extraction
PPA
期刊
IF:
2.6
论文数:
9.9K
被引数:
4.7W
机构
引用论文
ResNet Modeling for 12 nm FinFET Devices to Enhance DTCO Efficiency基于12 nm FinFET器件的ResNet建模以提高DTCO效率.png)
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