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A Low-Power CMOS-Only Voltage Reference

delete2026-01-01
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PRE
AI
E
Evi Keramida *
G
George Souliotis
S
S. Vlassis
F
Fotis Plessas
DOI:10.1002/cta.70324delete
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摘要

摘要

En 中文
本文提出了一种新型仅CMOS电压基准,无需使用双极结型晶体管或运算放大器。为获得温度无关的输出电压,该电路结合了两种相反温度系数(TC)的电压,即与绝对温度成正比的电压和与绝对温度成反比的电压。所提出的电压发生器已在65-nm CMOS工艺中设计,工作电压范围为1.8至2.5 V,在-40°C至120°C温度范围内的电压基准为970 mV,且在100 Hz时的电源抑制比约为-46.5 dB。该拓扑结构的主要优点是其简单设计——仅包含七个MOSFET和两个电阻——在worst-case角下的TC极低,约为9.67 ppm/°C,且线路灵敏度为0.0765%/V。
Keyword:
CMOS
CTAT
PSRR
PTAT
temperature coefficient
voltage reference

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