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Adaptive Combining Power Amplifier Using ETGaN15 Process
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DOI：10.3390/electronics15143096.png)
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摘要
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本文提出了一种在ETGaN15工艺中实现的自适应功率合成放大器（PA）。所提出的架构消除了传统效率增强技术中所需的λ/4阻抗变换器，转而采用仅由微带线和电容器组成的合成网络。所提出的电路根据输入功率电平动态执行负载调制和功率合成，简化了整体阻抗匹配结构，同时提高了输出回退区域的效率。测量结果表明，在10 GHz频带内，小信号增益为8 dB，峰值输出功率为34 dBm。该PA实现了28%的峰值功率附加效率（PAE）和41%的峰值漏极效率（DE），同时在6 dB输出功率回退（OBO）下保持23%的PAE和28%的DE。
Keyword:
adaptive combining architecture
back-off efficiency
gallium nitride (GaN)
power amplifier
期刊
IF:
2.6
论文数:
1.0W
被引数:
4.7W
机构
引用论文
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