Capacitive probes for rf process plasmas

doi:10.1063/1.1140535

Capacitive probes for rf process plasmas

1989-11-01

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DOI：10.1063/1.1140535

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展示了易于构建的电容探针，用于低密度反应性工艺等离子体中的射频电位测量。这些探针不使用辅助电路，且由易获取的材料制成。它们能够准确测量等离子体、鞘层以及真空中或等离子体环境中的绝缘或导电表面上的射频基波和谐波幅度。在氧和氮中，对于密度约为10¹⁰ cm⁻³、未磁化和磁增强的13.56-MHz电容放电，展示了等离子体、鞘层和电极表面射频电位幅度的测量值。在这些等离子体中，探针的整体精度估计约为10%，空间分辨率精细至0.5 mm。

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