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Complementary Black Phosphorus Tunneling Field-Effect Transistors
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DOI：10.1021/acsnano.8b06441.png)
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摘要
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带间隧穿场效应晶体管 (tfet) 已成为超越常规金属氧化物半导体场效应晶体管 (mosfet) 的低功耗集成电路的有希望的候选者，并且已被证明可以克服热电子极限，这本质上导致在室温下至少60 mV/12月的亚阈值波动。在这里，我们演示了基于少层黑磷的互补tfet，其中多个顶栅在源极和漏极区产生静电掺杂。通过电调谐源极区和漏极区中的掺杂类型和水平，器件可以被重新配置以允许TFET或MOSFET操作，并且可以被调谐为n型或p型。由于材料的正确选择和器件结构的精心设计，在2dtfet中已经实现了创纪录的高电流密度。所制造器件的全波段原子量子输运模拟与电流-电压测量在数量上一致，这为超大规模磷烯tfet的有前途的模拟结果提供了可信度。使用原子模拟，当沟道厚度和氧化物厚度按比例缩小时，我们预计制造的tfet的性能将得到实质性改善。
Keyword:
black phosphorus
TFET
reconfigurable
transistor
tunneling
low-power
AI总结
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16
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2.7W
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