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Defect‐Templated Phase Engineering in Atomically Thin Metals
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DOI：10.1002/adma.74689.png)
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摘要
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摘要
对原子级金属晶体相的确定性控制仍是一个基本挑战，因为原子位置的细微差异会导致电子和光学性能的显著变化。本文提出界面缺陷模板化作为一种通用的材料设计策略，用于受限二维金属的相工程，以单层银为模型系统。通过调控覆盖石墨烯的缺陷化学，我们选择性地稳定了石墨烯/碳化硅界面处二维Ag的两种竞争晶相：由外延石墨烯中的空位和线缺陷促进的近共面相，以及更容易存在于固有sp3富零层石墨烯下方的致密相。多模表征揭示了每种相独特的晶格位置、电子结构和向覆盖石墨烯的电荷转移。第一性原理计算表明，相选择性源于动力学有利成核路径与热力学优选堆积构型之间的竞争，解释了受控相形成和长期演化。缺陷编程的Ag相表现出强烈的线性与非线性光学响应差异，实现了原子级厚度下的相调控光学功能。更广泛地，本研究将缺陷重新定义为编程结构-性能关系的有意设计元素，用于受限二维金属。
期刊
IF:
26.8
论文数:
3.5W
被引数:
46.0W
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