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Design and characterization of a 28 nm CMOS charge sensitive amplifier for harsh radiation environments
10.1016/j.nima.2025.171177
2025-11-01
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AI
摘要
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本文讨论了一种用于恶劣辐射环境下混合像素探测器读出的电荷敏感放大器（CSA）的设计与特性表征。该CSA采用28 nm CMOS工艺设计，包含用于探测器漏电流补偿的反馈网络，在标称电压0.9 V下的标准工作状态下耗电约4 μA。测试结果表明，在存在模拟漏电流高达10 nA的探测器时，CSA完全正常工作。在默认偏置设置下，当模拟传感器电容为50 fF时，测得的等效噪声电荷接近70个电子r.m.s.。CSA的阈值时间（ToT）性能也得到了研究，在ToT特性中检测到最大积分非线性为3.8%。本文还报道了CSA在X射线辐照下的主要性能参数，总电离剂量最高达1 Grad(SiO2)。
关键词:
Charge sensitive amplifier
CMOS Front-end circuits
TID effects
Harsh radiation environments
Equivalent noise charge
AI总结
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期刊
学者
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Gaioni, L.
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Galliani, A.
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Re, V.
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Traversi, G.
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