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Developing flexible BaTiO3-based ceramic memristors through entropy engineering
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AI
DOI：10.1007/s40843-025-4077-0.png)
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摘要
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柔性忆阻器在推动新兴神经形态计算应用于可穿戴电子领域方面发挥了关键作用。这些器件的柔性核心在于功能材料的柔性，而无机氧化物的固有脆性为柔性氧化物忆阻器的发展带来了严峻挑战。通过采用熵工程策略控制氧化物组分的非晶化，成功获得了精确控制的晶态/非晶态微观结构，制备出可承受高达180°弯曲角度的柔性BaTi0.25Sn0.25Hf0.25Zr0.25O3薄膜。基于该材料，设计了一种Au/BaTi0.25Sn0.25Hf0.25Zr0.25O3/ITO/Mica器件，其忆阻特性源于熵工程诱导的氧空位增加。值得注意的是，该器件在未弯曲和弯曲条件下均表现出稳定的电阻开关行为，在多次弯曲循环中展现出优异的耐久性和可重复性。本研究提出了一种推进柔性忆阻器技术的重要策略，为下一代高性能柔性电子设备的发展带来了广阔前景。
Keyword:
flexibility
memristor
entropy
oxygen vacancy
