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Dislocation-based skyrmion traps
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AI
DOI：10.1088/1361-648x/ae5ee8.png)
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摘要
En 中文
拓扑自旋构型，如斯格明子和双极子，为传统磁畴提供了一种极具吸引力的替代方案，有望实现高密度、低功耗自旋电子器件。这些纹理以其旋涡状自旋纹理和非平凡拓扑电荷为特征，可被底层晶体晶格中的缺陷强烈影响。特别是，位错在真实材料中普遍存在，可能改变磁能景观并影响自旋纹理的稳定性或动力学。受此启发，我们研究了螺型位错如何影响斯格明子运动。我们表明，位错充当浅层、径向对称的陷阱，将斯格明子限制在距缺陷核有限距离处。通过经典和半经典方法，我们表征了由此产生的束缚态，并获得了具有半整数轨道角动量的离散量子化能级。最后，我们概述了一种器件概念，其中位错阵列引导电流驱动的斯格明子运动，并通过拓扑霍尔响应实现电学检测。这些结果表明，位错可作为功能元件，用于控制自旋电子器件中的拓扑自旋纹理。
Keyword:
dislocation
magnetic texture
skyrmion
期刊
IF:
2.6
论文数:
589
被引数:
5.1W
机构
引用论文
Influence of a uniform current on collective magnetization dynamics in a ferromagnetic metal -: art. no. 174412.png)
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