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Electrically controllable superconducting memory effect in UTe2
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AI
DOI：10.1038/s41586-026-11015-3.png)
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摘要
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多相超导体——即同时存在两种或更多种不同超导相的材料——极为罕见。例如重费米子CeRh₂As₂以及一些铀化合物如UPt₃和URhGe（参考文献1,2,3）。在多相p波超流体³He中，A相和B相之间的相界处可发生复杂的涡旋动力学行为（参考文献4,5）。本研究探讨了p波超导体候选材料UTe₂（参考文献6–8）。在施加磁场以进入跨越两种不同超导相的中间区域（参考文献9,10）时，我们发现直流脉冲可以直接将材料推入或推出一种具有增强临界电流密度Jc的亚稳态。这种切换可通过刺激的强度和持续时间进行控制，且系统能在长时间内“记忆”其处于高或低Jc状态。我们解释此现象是由于在扰动下淬灭了非平衡无序的玻璃态涡旋状态，其具有更强的钉扎力，因而Jc更高。通过逐渐增大电流进行退火，系统重新获得平衡涡旋晶格，恢复至原始状态。该记忆功能似乎源于UTe₂的超导序本身所固有的性质，而非依赖于邻近的磁或半导体界面（参考文献11–14）。我们的发现突显了多相量子涡旋物质的丰富复杂性。描述了在p波超导体候选材料UTe₂中观测到的记忆效应，该效应可通过调节电刺激的强度和持续时间进行控制。
AI总结
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