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Emissive Colloidal GaAs Quantum Dots
DOI:10.1021/jacs.6c03474.png)
摘要
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胶体量子点为光电应用提供了可调的光学特性,但除铟族氮化物外的高品质III–V族量子点(QDs)的合成,尤其是GaAs的合成,由于合成挑战而一直难以实现。胶体GaAs QDs最近虽有报道,但仅表现出较弱的带边光致发光。本文演示了一种在熔盐中大规模合成胶体GaAs QDs的方法,随后进行高温K2S表面处理,去除本征氧化物并使GaAs上均匀生长锌族硫属化合物壳层。这些QDs表现出明亮的带边光致发光和量子点LED器件中的电致发光。低温光谱揭示了一个分辨率良好的激子精细结构,具有独特的亮态分裂和4至100 K范围内的温度无关衰减动力学。这些结果为从熔盐制备高品质胶体GaAs QDs提供了一条实用途径,并具有在量子技术和光电领域的潜在应用。
Keyword:
Colloidal quantum dots
GaAs
Photoluminescence
Quantum dot LEDs
Surface treatment
期刊
IF:
15.6
论文数:
20.0W
被引数:
60.2W
机构
引用论文
SYNTHESIS AND CHARACTERIZATION OF NEARLY MONODISPERSE CDE (E = S, SE, TE) SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALLITES近单分散CDE (E = S,SE,TE) 半导体纳米晶的合成与表征
Highly Indistinguishable Single Photons from Droplet-Etched GaAs Quantum Dots Integrated in Single-Mode Waveguides and Beamsplitters
NANO LETTERS
IF9.1
Diffusion dynamics controlled colloidal synthesis of highly monodisperse InAs nanocrystals高单分散InAs纳米晶的扩散动力学控制胶体合成
NATURE COMMUNICATIONS
IF15.7
Quantum-size-induced electronic transitions in quantum dots: Indirect band-gap GaAs
PHYSICAL REVIEW B
IF3.7

