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Far-field interference nano-lithography for creating arbitrary sub-diffraction patterns
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AI
DOI：10.1016/j.optlastec.2025.114168.png)
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摘要
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对制备任意纳米尺度图案（包括周期性和非周期性）的日益增长的需求，需要能够克服衍射极限的新光刻技术。本文提出了一种理论上的多曝光远场干涉光刻方法，该方法能够在不要求使用具有亚波长特征的光刻掩模或近场配置的情况下，实现亚衍射极限图案的形成。该方法通过将所需图案的空间频率谱分解为多个频带来实现，每个频带使用一个独特的掩模和相应的消逝参考波来实现。该方法通过波干涉有效地在光刻胶表面移动和重构高空间频率分量。模拟结果表明，增加曝光次数能够创建更精细的特征，同时放宽高数值孔径和复杂掩模设计等制造约束。我们的方法为科研和工业应用中的高分辨率纳米制造提供了一种可扩展且灵活的解决方案。
Keyword:
Interference lithography
Sub-diffraction patterns
Fourier optics
Nano-lithography
期刊
O
IF:
0
论文数:
880
被引数:
0
机构
引用论文
Torii, Y.; Masui, S.; Matsumoto, Y.; Suzuki, K.; Michihata, M.; Takamasu, K.; Takahashi, S. Flexible Evanescent Wave Interference Lithography System for Sub-Half-Wavelength Complex Relief Structures Fabrication. Nanomanuf. Metrol. 2021, 4, 256–270. [Google Scholar] [CrossRef]Torii, Y.; Masui, S.; Matsumoto, Y.; Suzuki, K.; Michihata, M.; Takamasu, K.; Takahashi, S. 一种用于亚半波长复杂浮雕结构制造的柔性倏逝波干涉光刻系统。Nanomanuf. Metrol. 2021, 4, 256–270. [Google Scholar] [CrossRef].png)
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