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Finite Element Approach Based Numerical Framework for Device Simulator

delete2025-01-01
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PRE
AI
D
Da‐Wei Wang
Q
Qing Zhang
H
Hang Wan
W
Wen‐Sheng Zhao
DOI:10.1109/TCAD.2025.3531343delete
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摘要

摘要

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本研究提出了一种基于有限元方法(FEM)的数值框架,用于有效计算漂移-扩散方程,并将其编译为并行计算器件模拟器。在该框架中,开发了一种新型的迎风FEM来求解对流占优的连续性方程。在迎风方法的实现中,采用矢量基函数将边缘流线迎风(SU)电流密度插值到网格中,以获得空间电流密度,然后使用标量FEM构建单元矩阵方程。通过将2-D PN结的计算结果与COMSOL Semiconductor获得的结果进行比较,首先验证了所提出框架的准确性。接着,通过多个数值案例,展示了其在网格适应性、计算稳定性和效率方面相对于FBSG-、SU Petrov Galerkin(SUPG)-或基于控制体积-有限元方法SUPG框架的优势。最后,通过将所提出的框架与区域分解方案和完全耦合的牛顿方法相结合,开发了一个包含稳态和瞬态求解器的并行计算器件模拟器。对自制模拟器的性能进行了评估,包括计算精度、大规模问题求解能力和可扩展性。
Keyword:
Drift-diffusion model
hybrid finite element method (FEM)
parallel computing simulator
semiconductor device modeling
upwind method

期刊

I
IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems
IF:
2.9
论文数:
671
被引数:
9.6K

机构

H
Hangzhou Dianzi University
学者数:
1.3W
论文数: 9.6K
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