Fully Self-Powered Memristor Crossbar Array with Pressure-Driven Multilevel Switching and Pattern Encoding

2025-10-01

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DOI：10.1016/j.nanoen.2025.111497

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摘要

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• 自矫正N型TaOx忆阻器实现高密度、无选择器的操作。 • 基于FEP的TENG利用摩擦电能为忆阻器供电，无需外部电源。 • 集成系统表现出稳定的多级开关和长期保持特性。 • 忆阻器阵列通过TENG输入编码空间模式，用于神经形态感知。