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Graded Post-Processing Assisted Heterojunction Interface for High Performance Oxide Transistors
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AI
DOI：10.1002/adfm.74701.png)
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摘要
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本研究针对三维集成和先进逻辑技术背景下对高性能、高稳定性氧化物TFTs的迫切需求。该方法在低热预算（200°C）条件下，通过在界面处诱导高密度和高迁移率的二维电子气（2DEG）、优化氧空位（VO）分布以及降低体缺陷密度，提升了器件的整体性能。结果表明，6-nm ITO/18-nm ITZON:O TFT实现了109.35 cm²/Vs的有效场迁移率、108的开关比和−1.05 V的阈值电压。在正偏压和负偏压应力下的阈值电压漂移分别稳定在1.05 V和−0.25 V。此外，该研究还表明，在分类后处理过程中，氧等离子体处理对性能提升的贡献相对显著。该策略对于高性能氧化物异质结的材料设计和结构优化具有强普适性，并为与互补金属氧化物半导体（CMOS）后端工艺兼容的高性能氧化物晶体管提供了有效解决方案。
Keyword:
heterojunction engineering
oxide channel
performance
post-processing
transistors
期刊
IF:
19
论文数:
3.5W
被引数:
32.1W
机构
引用论文
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