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High-temperature memristors enabled by interfacial engineering
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DOI：10.1126/science.aeb9934.png)
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摘要
En 中文
对能够在极端热环境下工作的电子设备的需求日益增长，涵盖深井钻探、核能、自主系统，甚至金星和 Mercury 表面或近航天器发动机。尽管碳化硅等宽禁带半导体能使晶体管在 800°C 下工作，但 300°C 以上的可靠非易失性存储器仍难以实现。Zhao 等人介绍了可在 700°C 以上工作的忆阻器，具有超过 10^9 次开关周期、超过 50 小时的数据保持能力、ON/OFF 比超过 1000、开关速度低于 30 纳秒以及工作电压低于 1.5 伏的特性。材料表征和建模解释了这种热稳定性。这些结果为极端应用的高温存储器铺平了道路。—Yury Suleymanov
Keyword:
memristors
high-temperature operation
interfacial engineering
nonvolatile memory
wide-band-gap semiconductors
期刊
IF:
45.8
论文数:
1.4W
被引数:
78.6W
机构
引用论文
Al0.68Sc0.32N/SiC-Based Metal-Ferroelectric-Semiconductor Capacitors Operating up to 1000 °CAl0.68Sc0.32N/SiC基金属-铁电-半导体电容器，工作温度高达1000 °C.png)
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