.png){kind=icon}
返回
Improved Schottky junction analysis model
.png){kind=icon}
PRE
AI
DOI：10.1080/26941112.2025.2488520.png)
.png){kind=icon}
原文求助.png){kind=icon}
分享.png){kind=icon}
收藏
摘要
En 中文
在硼掺杂p型金刚石的肖特基结中，费米能级与杂质能级的交叠现象已被发现，这是一种广泛用于金刚石的p型掺杂方案。这表明在分析此类结时，硼杂质离化效率与其在结区域内的位置之间的关系不容忽视。由于假设结区域内杂质完全离化，传统的肖特基分析模型已不再适用。本研究开发了一种改进模型，其中离化浓度是结区域内位置的函数，而非传统模型中的掺杂浓度。成功分析了硼掺杂金刚石肖特基结的物理特性，如耗尽层宽度、电场强度和势能。此外，在分析磷掺杂硅肖特基结时，传统模型与改进模型获得了几乎相同的结果，表明该改进模型适用于所有半导体材料的肖特基结分析。宽禁带半导体材料普遍面临掺杂困难，深能级杂质较为常见。本研究为宽禁带半导体技术的快速发展提供了及时的理论基础。
Keyword:
Boron-doped diamond
Fermi level
ionization efficiency
Schottky junction analysis model
期刊
F
IF:
4
论文数:
30
被引数:
348
机构
引用论文
Theoretical study of n-type diamond with Li doping and Li-B co-doping: A density functional simulationLi掺杂和li-b共掺杂n型金刚石的理论研究: 密度泛函模拟
PREAI
分享收藏Low-leakage p-type diamond Schottky diodes prepared using vacuum ultraviolet light/ozone treatment
OAAI
OAAI分享收藏Investigating the energetic band diagrams of oxygen-terminated CVD grown e6 electronic grade diamond.png)
CARBON
CARBONIF11.6
PREAI
分享收藏Barrier Heights of Au on Diamond with Different Terminations Determined by X-ray Photoelectron SpectroscopyCoatingsOAAI
CoatingsIF0
OAAI分享收藏characteristics of epitaxial Schottky Au barrier diode on p+ diamond substrate在p+型金刚石衬底上的外延肖特基金势垒二极管的特性
PREAI
分享收藏
查看更多内容