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Inductor-Free LoRa Backscatter
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AI
DOI：10.1109/TON.2025.3541422.png)
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摘要
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LoRa反向散射在集成电路（ICs）实现时，以仅数十微瓦的功耗实现长距离通信，这使其成为大规模物联网（IoT）的潜在使能技术。然而，尽管具有上述优势，我们发现由于阻抗负载阵列中使用大尺寸电感，当前标签设计浪费了约72%的芯片功能面积。这种低效性显著增加了大规模生产中的每芯片成本。为解决此芯片面积问题，我们提出了OsTAG，一种新型LoRa反向散射设计，该设计在阻抗负载阵列中消除了所有电感，同时保持相同的量化分辨率。其关键创新在于通过过采样创建虚拟阻抗。实现此类设计需要克服缓解近似误差和管理过采样时钟不完美性的技术挑战。为验证我们的设计，我们开发了原型芯片和集成电路，结果表明其在性能和效率方面均取得了有前景的成果。预计OsTAG的芯片面积仅为现有设计的28%，同时可实现相当水平的百米级通信距离。
Keyword:
Backscatter
LoRa
期刊
I
IF:
0
论文数:
551
被引数:
0
机构
引用论文
From Demodulation to Decoding: Toward Complete LoRa PHY Understanding and Implementation从解调到解码: 走向完整的LoRa PHY理解和实现
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