.png){kind=icon}
返回
Logic-in-memory cell enabling binary and ternary Boolean logics
.png){kind=icon}
PRE
AI
DOI：10.1007/s11432-024-4248-4.png)
.png){kind=icon}
原文求助.png){kind=icon}
分享.png){kind=icon}
收藏
摘要
En 中文
在计算系统中，处理单元和存储单元已被集成到内存中逻辑（LiM）中，以提升计算效率与性能。LiM已被尝试执行不仅二元逻辑，而且三元逻辑功能，这降低了计算复杂度。在此，我们展示了一种由八个三栅极（TG）反馈场效应晶体管（FBFETs）重构为n型或p型模式的二元与三元LiM（BT-LiM）单元。TG FBFETs表现出对称的闩锁电压，以及n型与p型模式之间1.02的导通电流比，这表明其在可重构逻辑应用中具有高潜力。由于这些可重构特性，BT-LiM单元能够在一个单元中执行YES、NOT、AND、OR、NAND、NOR、XNOR和XOR逻辑功能。此外，二元和三元逻辑功能在单元中无需编程阶段即可实现，且单元在零偏置条件下保持逻辑功能的结果。本研究实现了能够操作所有二元和三元布尔逻辑的多功能LiM。
Keyword:
logic-in-memory
reconfigurable channel modes
ternary logic
triple-gated feedback field-effect transistors
期刊
IF:
7.6
论文数:
4.9K
被引数:
8.9K
机构
暂无机构信息
引用论文
Looking Beyond 0 and 1: Principles and Technology of Multi-Valued Logic Devices.png)
ADVANCED MATERIALS
ADVANCED MATERIALSIF26.8
PREAI
分享收藏Reprogrammable Binary and Ternary Optoelectronic Logic Gates Composed of Nanostructured GaN Photoelectrodes with Bipolar Photoresponse Characteristics由具有双极光响应特性的纳米结构GaN光电极组成的可重新编程的二元和三元光电逻辑门
PREAI
分享收藏分享收藏分享收藏
查看更多内容