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Long-distance remote epitaxy
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AI
DOI：10.1038/s41586-025-09484-z.png)
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摘要
En 中文
远程外延，即通过远程相互作用在薄膜和衬底之间建立外延关系，能够实现高质量单晶外延层的开发及其转移到其他技术关键衬底上的集成¹,²。普遍认为，在远程外延中，远程相互作用能在外延过程中起主导作用的距离小于1 nm，因为原子级分辨率的波动电势在经过几个原子距离后迅速衰减至可忽略的值³。在此，我们展示了当外延层-衬底距离高达2–7 nm时，仍有可能实现远程外延。我们实验验证了CsPbBr₃薄膜在NaCl衬底上、KCl薄膜在KCl衬底上以及ZnO微棒在GaN上的长距离远程外延，并发现每个远程外延ZnO微棒正下方的GaN衬底中均存在位错。这些发现表明，通过利用缺陷介导的长距离远程相互作用，远程外延可被设计和调控。实验证据表明，即使通过厚的非晶碳缓冲层，也能观察到薄膜的长距离远程外延相互作用，并显示这些相互作用可通过衬底中的位错引发。
Keyword:
Remote epitaxy
Long-distance interaction
Epitaxial growth
Substrate defects
Thin films
期刊
IF:
48.5
论文数:
1.8W
被引数:
96.5W
机构
引用论文
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