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Multi-Bit Floating-Gate Memory with an Ultrawide Programmable Window
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DOI：10.1002/smll.202510769.png)
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摘要
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数据密集型计算和光电子信息处理的快速增长需要具有高密度、多级可编程性和快速操作特性的存储器件。浮栅存储器因其可靠的电荷存储特性而受到广泛关注，但仍受限于低存储密度、受限的多级能力和缺乏光电子集成。在此，我们报道了一种二碲化钼/六方氮化硼/多层石墨烯（MoTe2/hBN/MLG）范德华异质结，实现了超宽p型存储窗口（约199.2 V）、90.5%的高存储窗口比和超高的存储密度（>10^13 cm−2）。我们的器件展示了50 ns的超快响应速度、超过10^6周期的稳健耐久性以及预计10年的可靠数据保持能力。在电脉冲调制下，我们实现了超过6位的多级存储，并成功模拟了突触可塑性。此外，稳健的负光电导率（NPC）实现了激光驱动的光学调制，并实现了超过7位的多级存储。另外，我们采用混合数字-模拟架构模拟了用于CIFAR-10图像分类的存内计算，准确率超过95%，与纯数字实现相当。综合来看，这些进展使我们的器件成为可扩展神经形态和光电子信息技术的有前景的构建模块。
Keyword:
floating-gate memory
multilevel memory
negative photoconductance
ultrahigh storage density
期刊
IF:
12.1
论文数:
3.0W
被引数:
16.4W
机构
引用论文
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