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Phase-separated amorphous Si2BN: A computational study
DOI:10.1063/5.0244715.png)
摘要
En 中文
本研究采用第一性原理分子动力学模拟,研究了非晶硅硼氮(a-Si2BN)的原子结构、键合及其电学和力学性能。模拟结果表明,其结构呈现出明显的相分离特征,包含富硅和富BN的域。BN层嵌入非晶硅基质中,仅有少量桥接原子连接这些区域。富硅区域在拓扑结构上与非晶硅相似,但存在明显的结构畸变。电子结构计算显示其具有半导体行为,能带隙较小;力学性能分析则表明其体模量和杨氏模量适中,实现了刚性与弹性的平衡。这些发现使a-Si2BN有望应用于柔性电子、高温半导体及储能设备等先进领域。尽管所提出的结构目前仍为假设,但其潜在的实验实现可能为新兴技术中的材料设计开辟新途径。
Keyword:
A-SI-H
MOLECULAR-DYNAMICS
BORON-NITRIDE
STRUCTURAL-PROPERTIES
2-DIMENSIONAL SI2BN
EFFICIENT
PERFORMANCE
DENSITY
NANORIBBONS
MONOLAYERS
期刊
IF:
2.5
论文数:
2.6K
被引数:
14.5W
机构
引用论文
Achieving ultrahigh carrier mobilities and opening the band gap in two-dimensional Si2BN在二维Si2BN中实现超高载流子迁移率并打开带隙

