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Random access and high dimensional integrated quantum memory
DOI:10.1186/s43074-026-00284-w.png)
摘要
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随机访问量子存储器(RAQM)是可扩展量子网络和光子量子计算的基本构建模块。虽然现有的实现依赖于气态物理系统,但固态平台——尤其是集成架构——为可扩展部署提供了独特的实际优势。然而,当前的集成量子存储器仅限于单通道操作,这既排除了RAQM,也排除了对高维光子状态的操控。在此,我们演示了一种基于激光写入波导阵列的11通道集成量子存储器,该阵列位于151Eu3+:Y2SiO5晶体中。芯片上的电极阵列允许通过斯塔克频移诱导的原子干涉独立控制每个通道的读出时间。该器件实现了三个时隙量子比特的随机访问量子存储,保真度超过99%,并存储了五维路径编码的量子状态,保真度高于96%。这种多通道集成量子存储器通过其随机访问操作支持灵活的功能,并为在集成架构中实现高维量子网络建立了实用的硬件平台。
期刊
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19.1
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