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Self-Rectifying Volatile Memristor for Highly Dynamic Functions
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DOI：10.1002/adfm.202423880.png)
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摘要
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本研究制备了一种由Pt/TaOx/TiN堆叠结构组成的具有高度整流特性的忆阻器，其中集成了适用于互补金属氧化物半导体工艺的金属氧化物开关层，旨在评估其在多种应用场景中的性能表现。该忆阻器表现出高度整流特性，这归因于Pt和TiN电极间功函数差异所形成的肖特基势垒。在1 mA的钳位电流下，忆阻器展现出易失性存储特性，这一现象归因于TaOx层内氧离子的迁移。利用这一易失性行为，成功模拟了突触功能——即突触可塑性随输入脉冲的变化而改变。此外，还演示了生物痛觉感受器的全部功能，包括阈值响应、弛豫特性、无适应现象、敏化效应及恢复过程。这些高度动态的功能随后被用于模拟神经元放电行为，具体应用包括通过突触阵列实现莫尔斯电码的数据生成，以及通过低成本储层计算实现计算功能。该忆阻器的制备工艺简单且在单一器件中实现了广泛的功能，使其成为未来应用的有前景的候选方案。
Keyword:
artificial sensory system
dynamic memristor
morse code
reservoir computing
synaptic array
期刊
IF:
19
论文数:
3.5W
被引数:
32.1W
机构
暂无机构信息
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