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Solid State Defect Emitters With no Electrical Activity
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DOI：10.1002/advs.202503350.png)
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摘要
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点缺陷可能会在宿主半导体的基本带隙中引入缺陷能级，从而改变材料的电学性质。因此，带隙中的缺陷能级和态会自动降低与宿主半导体光学带隙相关的光学激发阈值能。因此，普遍认为半导体中的固态缺陷发射体会最终改变宿主的导电性。本研究以4H碳化硅中的一种特定缺陷为例，表明存在一类未被认识的点缺陷，这些缺陷在基态下是光学活性的，但电学上是惰性的。
Keyword:
first-principles calculations
optical transition
point defects
silicon carbide
single photon emitter
期刊
IF:
14.1
论文数:
1.8W
被引数:
11.5W
机构
引用论文
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