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Solution-processable two-dimensional hexagonal copper indium selenide semiconductors
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DOI：10.1038/s41928-026-01661-w.png)
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摘要
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可溶液处理的二维半导体可用于大面积电子器件的低成本制造。然而，与采用高温化学气相沉积法制备的二维材料相比，其电学性能较低。本文报道了通过溶液处理制备具有高迁移率值的晶圆级二维层状铜铟硒（CuIn5Se8）半导体。空气稳定的溶液基油墨配制和薄膜组装允许在常温空气中沉积四英寸CuIn5Se8薄膜。通过阐明可逆水吸附过程对电学性能的影响，开发了一种温和退火步骤以消除表面水分子。所得CuIn5Se8晶体管表现出平均电子迁移率为155 cm² V⁻¹ s⁻¹和开关比10⁷，且电流滞后较小。此外，稳定的晶体管操作和较小的器件间差异使超过100个晶体管的集成成为可能，可构建原型微处理器，以2.2 kHz频率处理数字信号。晶圆级和空气稳定的二维铜铟硒半导体薄膜可通过单层油墨沉积和退火制备，形成平均迁移率为155 cm² V⁻¹ s⁻¹的晶体管，并包含超过100个器件的微处理器。
期刊
IF:
40.9
论文数:
1.7K
被引数:
2.1W
机构
引用论文
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