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Solution-Processed Bi2S3 Nanostructures for Flexible Memory and Neuromorphic Computing
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AI
DOI：10.1002/aelm.202500370.png)
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摘要
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可穿戴计算和边缘AI技术的快速进步正推动对低温、柔性且与神经形态兼容的电子材料的需求。在本工作中，报道了采用单源前驱体（SSP）[Bi(S₂P(OC₃H₇)₂)₃]通过原位溶剂热法制备Bi₂S₃薄膜的成功低温沉积。这种溶液处理方法能够在宽广的温度窗口（140-200摄氏度）内，在包括硅、聚酰亚胺和PET在内的一系列基板上形成高质量、结晶且化学计量比的Bi₂S₃薄膜。利用该沉积技术，在刚性和柔性基板上制备了基于Bi₂S₃的忆阻器。器件表现出稳定的电阻开关行为，并在应力条件下表现出机械和电学鲁棒性。此外，忆阻器有效模拟了长时程突触可塑性，实现了高学习精度。这些发现将基于SSP的Bi₂S₃薄膜确立为下一代柔性神经形态计算和存储技术的有前景的材料平台。
Keyword:
flexible memristor
neuromorphic computing
single source precursor
solution process
AI总结
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期刊
IF:
5.3
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机构
引用论文
High-Stability of Heterostructured Bi2S3/VS4/rGO Anode Enabled by Electrolyte Optimization for Fast-Charging Sodium-Ion Batteries通过快速充电钠离子电池的电解质优化实现异质结构Bi2S3/VS4/rGO阳极的高稳定性.png)
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