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Substrate-Induced Interfacial Coupling between Graphene and Copper
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DOI：10.1021/prechem.6c00002.png)
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摘要
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石墨烯/铜（Gr/Cu）复合材料结合了两种组分优异的电学、热学和力学性能，已成为先进电子和储能应用的潜在平台。已有研究成功优化了石墨烯的掺入和形貌，但Gr/Cu界面相互作用对复合材料性能的影响仍需进一步探索。本文系统研究了八种Gr/Cu界面并阐明其界面耦合关系。结果表明，石墨烯的掺杂程度与铜的晶体取向密切相关，其中Gr/Cu(111)表现出最高的电子掺杂水平，而Gr/Cu(332)最低。更高的掺杂伴随更大的石墨烯表面摩擦，揭示了界面电荷转移与摩擦行为之间的直接关联。晶体取向控制代表了一种原子级精确的界面工程策略，用于调控界面耦合。通过这种方法，电荷转移和摩擦可以有效地进行调节，为高效电力传输、可靠电气互连和低摩擦系统等应用的高性能Gr/Cu复合材料理性设计奠定基础。
Keyword:
graphene
copper
composites
interfacialcoupling
friction
期刊
P
IF:
6.2
论文数:
125
被引数:
601
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