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Two-Dimensional Flash Memory: Materials, Interfaces, and Storage–Computing Convergence
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AI
DOI：10.1002/advs.78009.png)
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摘要
En 中文
闪存仍占主导的非易失性存储技术地位，但其持续缩放正日益受到快速编程、低操作能耗和长期可靠性等耦合要求的制约。二维材料及范德华异质结构的新进展不仅为微型化闪存单元提供了机会，还为重新配置电荷编程物理机制带来了可能。在本综述中，我们引入界面调控电荷编程作为理解和设计二维闪存的一体化框架。我们讨论了原子级薄通道、洁净范德华界面、工程隧穿势垒、可控陷阱态及接触调控如何调控电荷注入、传输、捕获和限制。该框架将器件级指标（包括纳秒至亚纳秒级编程、低能耗操作、长期数据保持和高耐久性）与新兴系统级功能（如多级存储、存内计算、传感-存储-计算集成及与CMOS兼容的异质集成）相联系。我们进一步指出了晶圆级合成、器件差异性、可靠性基准测试及阵列级实现中的关键挑战。通过将闪存设计从体电场驱动的隧穿转向界面编程的电荷控制，二维材料有望催生一类用于存储-计算融合的新型非易失性器件，超越传统硅基闪存。
Keyword:
2D materials
flash memory
interface engineering
in-memory computing
AI总结
对已上传原文的论文进行重点信息的提取，主要内容包括：简要概述、研究摘要、背景介绍、关键亮点、图文解析、展望与总结。
期刊
IF:
14.1
论文数:
1.8W
被引数:
11.5W
机构
引用论文
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