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Visualizing Intercalation Effects in 2D Materials Using AFM-Based Techniques
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AI
DOI：10.1021/acs.jpclett.5c00322.png)
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摘要
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二维材料的插层，特别是过渡金属二硫属化物的插层，是修改这些材料电子、光学和结构性质的一种非侵入性方法。然而，关于这些原子尺度现象的研究通常依赖于使用超高真空技术，这些技术耗时、昂贵且空间受限。在这里，我们利用基于原子力显微镜（AFM）的技术来可视化硫插层引起的MoS2/石墨烯/Ir(111)的局部结构和电子变化。AFM形貌揭示了结构变化，而相位成像和力学测量显示出杨氏模量和粘附力的降低。开尔文探针力显微镜突出了表面势和功函数的变化，与插层特征一致，而光致力显微镜检测到插层区域的增强光学响应。这些结果表明基于AFM的技术在绘制插层方面的有效性，为调控二维材料的电子和光学性质提供了见解。这项工作强调了AFM技术在先进材料表征和二维材料应用开发中的潜力。
Keyword:
SINGLE-LAYER MOS2
VALLEY POLARIZATION
MONOLAYER MOS2
GRAPHENE
SURFACES
期刊
IF:
4.6
论文数:
2.7K
被引数:
7.6W
机构
引用论文
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