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Vellore Inst Technol
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High resistive switching current ratio, excellent endurance and stability for bistable non-volatile memristor and photosensing devices based on perovskite/titanium dioxide embedded in polyvinyl alcohol matrix高阻态开关电流比、优异的 endurance 和 stability,适用于基于嵌入聚乙烯醇基质中的钙钛矿/二氧化钛的双稳态非易失性 memristor 和 photosensing devices。

