未登录
分享
收藏
分享
收藏
分享
收藏
分享
收藏
分享
收藏Metrology for the next generation of semiconductor devices (vol 1, pg 532, 2018)
Orji, N. G.; Badaroglu, M.; Barnes, B. M.; Beitia, C.; Bunday, B. D.; Celano, U.; Kline, R. J.; Neisser, M.; Obeng, Y.; Vladar, A. E.
分享
收藏Metrology for the next generation of semiconductor devices下一代半导体器件的计量
Orji, N. G.; Badaroglu, M.; Barnes, B. M.; Beitia, C.; Bunday, B. D.; Celano, U.; Kline, R. J.; Neisser, M.; Obeng, Y.; Vladar, A. E.
分享
收藏
分享
收藏
分享
收藏
分享
收藏Influence of Metal-MoS2 Interface on MoS2 Transistor Performance: Comparison of Ag and Ti ContactsMetal-MoS2界面对MoS2晶体管性能的影响: Ag和Ti接触的比较
Yuan, Hui; Cheng, Guangjun; You, Lin; Li, Haitao; Zhu, Hao; Li, Wei; Kopanski, Joseph J.; Obeng, Yaw S.; Walker, Angela R. Hight; Gundlach, David J.; Richter, Curt A.; Ioannou, Dimitris E.; Li, Qiliang
分享
收藏Toward Clean and Crackless Transfer of Graphene
Liang, Xuelei; Sperling, Brent A.; Calizo, Irene; Cheng, Guangjun; Hacker, Christina Ann; Zhang, Qin; Obeng, Yaw; Yan, Kai; Peng, Hailin; Li, Qiliang; Zhu, Xiaoxiao; Yuan, Hui; Walker, Angela R. Hight; Liu, Zhongfan; Peng, Lian-mao; Richter, Curt A.
分享
收藏
分享
收藏
分享
收藏
分享
收藏
分享
收藏
分享
收藏
分享
收藏
分享
收藏
分享
收藏