G
G. É. Cirlin
H指数:39
被引数:5,982
个人简介
暂无内容
教育背景
暂无内容
工作经历
暂无内容
荣誉奖项
暂无内容
通过孔道几何结构工程设计Si(100)上GaN纳米线的取向
拓扑引导的范德华外延:在h-BN台阶边缘选择生长AlN纳米墙
MBE法生长的GaAs纳米线,催化剂与两种元素形成共晶点
通过胶体等离激元纳米线和纳米粒子的协同使用实现GaN基紫外光电探测器的可调光响应
MBE生长及硅衬底上分支AlGaAs纳米线的性质
nanotechnology
IF2.8
NANOSCALE HORIZONS
IF6.6
NANOMATERIALS
IF4.3
使用微球光刻在Si衬底上GaN纳米线的选择性区域外延: 实验和理论
NANOMATERIALS
IF4.3
NANOMATERIALS
IF4.3
OPTICAL MATERIALS
IF4.2

