E
Eui-Tae Kim
H指数:33
被引数:5,506
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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调节二维ReSe₂的反应离子刻蚀特性:从各向异性三角形片层到光滑表面
Materials Letters
IF2.7
MoS2–WS2垂直纳米片异质结构及其通过形貌调控化学气相沉积法制备的增强光催化氢气生成性能
通过范德瓦尔斯钝化层增强载流子动力学及光学刺激人工突触的激发
非晶碳单层:一种用于高性能金属氧化物半导体器件的范德华界面
ACS NANO
IF16
通过2D MoS2纳米片的表面调制来增强In2S3光阳极的光电化学水分解
NANOMATERIALS
IF4.3
具有垂直纳米片的金属硫属化物/石墨烯的边缘丰富的3D结构化,用于高效光催化制氢
PSYCHIATRY RESEARCH
IF3.9
用于高性能纳米电子器件应用的非晶氮化硼薄膜的低温直接生长
通过无定形烃的范德华堆积对层状MoSe2进行表面钝化
SMALL
IF12.1
用垂直2D MoS2纳米片修饰的一维WO3纳米棒的合理异质结设计以增强光电化学性能
通过形貌控制的化学气相沉积在石墨烯上生长改善MoS2的光电化学性能
NANOMATERIALS
IF4.3

