W
Whan Kyun Kim
H指数:6
被引数:320
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
暂无内容
阵列级MoS<sub>2–</sub>Hf<sub>0.5</sub>Zr<sub>0.5</sub>O<sub>2</sub>铁电存储器在神经网络中用于内存图像预处理
Small
IF12.1
厚度调控的化学计量比支配镍硅化物在纳秒激光退火下的界面稳定性
基于Ag插层过渡金属硫族化合物的鲁棒金属和半导体相变忆阻器
Advanced Materials
IF26.8
用于神经形态系统的使用2d石墨烯/3D-Al2O3/ ZnO异质结构的晶圆级浮栅忆阻器阵列
ADVANCED MATERIALS
IF26.8
SMALL STRUCTURES
IF11.3

