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收藏Engineering of A-site cations in APbI3 (A = Cs, Rb, K) perovskites for resistive switching control and self-rectifying memristors for next-generation computing applicationsA位阳离子在APbI3(A = Cs, Rb, K)钙钛矿中的工程设计,用于阻变开关控制和自整流忆阻器,以应用于下一代计算领域。
Jain, Muskan; Fasnick, C. K. Bismiya; Khemnani, Manish; Kortstee, Lotte; Andola, Bhawana; Patel, Mayur Jagdishbhai; Guerrero, Antonio; Srivastava, Yogesh Kumar; Castelli, Ivano E.; Solanki, Ankur
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收藏Polarization-Sensitive Dielectric Membrane Metasurfaces
Yang, Quanlong; Liu, Mingkai; Kruk, Sergey; Xu, Yuehong; Srivastava, Yogesh Kumar; Singh, Ranjan; Han, Jiaguang; Kivshar, Yuri; Shadrivov, Ilya, V
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