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Hyunsung Shin

Samsung Electronics

8H指数
12论文数
712被引数
收录论文 1
发表时间
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McDRAM v2: In-Dynamic Random Access Memory Systolic Array Accelerator to Address the Large Model Problem in Deep Neural Networks on the Edge
errIEEE ACCESS
IF3.6
err2020-01-01
err29
errOAAI
errCho, Seunghwan; Choi, Haerang; Park, Eunhyeok; Shin, Hyunsung; Yoo, Sungjoo
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研究方向

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合作学者
合作期刊
S
Sungjoo Yoo
H 指数: 40 · 论文数: 272
E
Eunhyeok Park
H 指数: 16 · 论文数: 70
H
Haerang Choi
H 指数: 7 · 论文数: 14
S
Seunghwan Cho
H 指数: 2 · 论文数: 3
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