J
Jiawen Yan
H指数:3
被引数:196
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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基于原子级薄异质结的光电子学突触器件,可在−190 °C至450 °C范围内工作
Nature Communications
IF15.7
通过自对准方法实现横向范德华异质结构阵列的可扩展集成
NANO LETTERS
IF9.1
低结晶1t/2H-MoSe2异质结构作为镁离子电池的高倍率和超长寿命阴极材料
柔性高温MoS2场效应晶体管和逻辑门
ACS NANO
IF16

