S
Szymon Winczewski
H指数:9
被引数:566
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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使用混合MD + tfMC方法模拟硅热氧化
一种用于真实模拟气相中薄膜沉积的新型方法及其在研究金薄膜在晶体硅上生长的应用
五边形的负泊松比: 结合三种不同拉胀机制的新拉胀结构
CARBON
IF11.6
CARBON
IF11.6
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使用混合MD + tfMC方法模拟硅热氧化
一种用于真实模拟气相中薄膜沉积的新型方法及其在研究金薄膜在晶体硅上生长的应用
五边形的负泊松比: 结合三种不同拉胀机制的新拉胀结构