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Vyas R. Murnal

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2H指数
7论文数
20被引数
收录论文 1
发表时间
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A quasi-ballistic drain current, charge and capacitance model with positional carrier scattering dependency valid for symmetric DG MOSFETs in nanoscale regime具有位置载流子散射依赖性的准弹道漏极电流，电荷和电容模型对纳米级对称DG mosfet有效
errNANO CONVERGENCE
IF11
err2019-06-17
err9
errOAAI
errMurnal, Vyas R.; Vijaya, C.
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研究方向

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合作学者
合作期刊
C
C. Vijaya
H 指数: 10 · 论文数: 51
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