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收藏Substitutionality of nitrogen atoms and formation of nitrogen complexes and point defects in GaPN alloys
Jussila, H.; Yu, K. M.; Kujala, J.; Tuomisto, F.; Nagarajan, S.; Lemettinen, J.; Huhtio, T.; Tuomi, T. O.; Lipsanen, H.; Sopanen, M.
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收藏Enhanced light extraction from InGaN/GaN quantum wells with silver gratings
Homeyer, E.; Mattila, P.; Oksanen, J.; Sadi, T.; Nykanen, H.; Suihkonen, S.; Symonds, C.; Tulkki, J.; Tuomisto, F.; Sopanen, M.; Bellessa, J.
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收藏High-k GaAs metal insulator semiconductor capacitors passivated by ex-situ plasma-enhanced atomic layer deposited AlN for Fermi-level unpinning
Jussila, H.; Mattila, P.; Oksanen, J.; Perros, A.; Riikonen, J.; Bosund, M.; Varpula, A.; Huhtio, T.; Lipsanen, H.; Sopanen, M.
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收藏GaAs surface passivation by plasma-enhanced atomic-layer-deposited aluminum nitride (vol 256, pg 7434, 2010)
Bosund, M.; Mattila, P.; Aierken, A.; Hakkarainen, T.; Koskenvaara, H.; Sopanen, M.; Airaksinen, V. -M.; Lipsanen, H.
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