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收藏n-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Based on 100-Period Fully Strained SiGe/Si Nanostructures with Superlattice Epitaxy for Three-Dimensional Dynamic Random-Access Memory基于100周期完全应变SiGe/Si纳米结构的超晶格外延n型金属氧化物半导体场效应晶体管,用于三维动态随机存取存储器
Zhang, Y; Wang, XS; Mao, SJ; Liang, J; Liu, ML; Wang, XH; Wang, H; Zhang, WH; Wang, HL; Song, YP; Liu, XM; Liu, XY; Kong, ZZ; Bai, ZQ; Wang, GL; Zhao, C
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收藏Morphological and strain engineering of SiGe cladded channels for stacked nanowire transistors
Song, Yanpeng; Wan, Guangxing; Liu, Xiaomeng; Li, Junjie; Wang, Hailing; Wang, Xinhe; Hao, Kuanrong; Bai, Z.; Wang, Xiangsheng; Kong, Zhenzhen; Li, Junfeng; Luo, Jun; Zhang, Yongkui; Zhu, Huilong; Zhao, Chao; Wang, Guilei
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