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V
Vladimir V. Ulyanov
russian academy of sciences
16
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259
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5
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Formation of Ge-Sn nanodots on Si(100) surfaces by molecular beam epitaxy
NANOSCALE RESEARCH LETTERS
IF
4.1
2011-01-12
14
OA
AI
Mashanov, Vladimir; Ulyanov, Vladimir; Timofeev, Vyacheslav; Nikiforov, Aleksandr; Pchelyakov, Oleg; Yu, Ing-Song; Cheng, Henry
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Germanium nanoislands formation on silicon oxide surface by molecular beam epitaxy
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
IF
4.6
2005-02-01
3
PRE
AI
Nikiforov, AI; Ulyanov, VV; Pchelyakov, OP; Teys, SA; Gutakovsky, AK
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Stark effect in type-II Ge/Si quantum dots
PHYSICAL REVIEW B
IF
3.7
2003-03-31
46
PRE
AI
Yakimov, AI; Dvurechenskii, AV; Nikiforov, AI; Ulyanov, VV; Milekhin, AG; Govorov, AO; Schulze, S; Zahn, DRT
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Tunneling series in terms of perturbation theory for quantum spin systems
PHYSICAL REVIEW B
IF
3.7
1999-09-01
10
OA
AI
Ulyanov, VV; Zaslavskii, OB
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NEW METHODS IN THE THEORY OF QUANTUM SPIN SYSTEMS
PHYSICS REPORTS-REVIEW SECTION OF PHYSICS LETTERS
IF
29.5
1992-07-01
153
PRE
AI
ULYANOV, VV; ZASLAVSKII, OB
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合作学者
合作期刊
D
Dietrich R. T. Zahn
H 指数: 57 · 论文数: 1.0K
S
S. Schulze
H 指数: 29 · 论文数: 195
А
А. В. Двуреченский
H 指数: 28 · 论文数: 424
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О. Б. Заславский
H 指数: 27 · 论文数: 270
A
A. G. Milekhin
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