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收藏Engineering of impact ionization characteristics in In0.53Ga0.47As/Al0.48In0.52As superlattice avalanche photodiodes on InP substrate
Lee, S.; Winslow, M.; Grein, C. H.; Kodati, S. H.; Jones, A. H.; Fink, D. R.; Das, P.; Hayat, M. M.; Ronningen, T. J.; Campbell, J. C.; Krishna, S.
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