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Radhalayam Dhanalakshmi
H指数:11
被引数:370
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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勘误:“用于PEC水分解应用的Bi₀.₇₆Sb₁.₂₄S₃薄膜的种子层辅助生长”[Phys. B Condens. Matter 741 (2026) 419165-1 – 419165-9]
籽晶层辅助生长的Bi₀.₇₆Sb₁.₂₄S₃薄膜用于PEC水分解应用
两步硫化法制备CuSbS2薄膜以改善其生长和光电器件性能
NiCo2S4/石墨烯量子点界面的工程化以增强电荷传输和高性能不对称超级电容器
锑辅助低温化学浴沉积法制备Bi₂S₃纳米棒薄膜用于水分解
Fe掺杂Bi2S3薄膜用于光电化学水分解
化学浴沉积法制备的种子层辅助生长的AgBiS $$_{2}$$ 薄膜及其在光伏领域的应用
通过铟掺杂增强Bi2S3纳米棒薄膜的物理和光电化学性能
创新的可皱缩片状BiOBr/g-C3N4异质结构用于增强四环素盐酸盐的光催化降解
二硫化亚铜铅锑 (CuPbSbS3) 薄膜用于光伏应用的两步合成法
协同NiCo2S4/石墨烯量子点纳米片用于不对称超级电容器的高性能电化学表现
通过种子层辅助生长提升Zn掺杂Bi₂S₃薄膜的光电化学性能
New J. Chem.
IF2.5
化学合成的Bi₀.₇₆Sb₁.₂₄S₃光电极用于光电化学水分解
Solar Energy
IF6.6
通过种子层辅助方法制备的用于光电化学应用的纳米晶Bi₂S₃薄膜的浴温依赖生长
通过两步法制备的AgSbS2薄膜中的相演变
通过热硫化沉积的Cu/Sn/Cu金属层制备的Cu4SnS4薄膜
高效CdS:(Ce, Ga)纳米颗粒在人工太阳光照射下用于光催化产氢

