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收藏Pros and Cons of (NH4)2S Solution Treatment of p-GaN/Metallization Interface: Perspectives for Laser DiodeP-gan/金属化界面的 (NH4) 2s溶液处理的利弊: 激光二极管的前景
Levchenko, Iryna; Kryvyi, Serhii; Kaminska, Eliana; Smalc-Koziorowska, Julita; Grzanka, Szymon; Kacperski, Jacek; Nowak, Grzegorz; Kret, Slawomir; Marona, Lucja; Perlin, Piotr
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收藏AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Semi-Insulating Ammono-GaN Substrates with Regrown Ohmic Contacts具有再生欧姆接触的半绝缘ammono-gan衬底上的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
Wojtasiak, Wojciech; Goralczyk, Marcin; Gryglewski, Daniel; Zajac, Marcin; Kucharski, Robert; Prystawko, Pawel; Piotrowska, Anna; Ekielski, Marek; Kaminska, Eliana; Taube, Andrzej; Wzorek, Marek
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收藏Terahertz detection by two dimensional plasma field effect transistors in quantizing magnetic fields
Sakowicz, M.; Lusakowski, J.; Karpierz, K.; Grynberg, M.; Knap, W.; Koehler, K.; Valusis, G.; Golaszewska, K.; Kaminska, E.; Piotrowska, A.
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