B
Blas P. Uberuaga
H指数:60
被引数:3.4万
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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氧空位对萤石型和赤铁矿型异质结构界面原子结构和功能的影响
Acta Materialia
IF9.3
通过DFT和4D-STEM DPC揭示辐照氧化物界面的原子和电子结构
使用APT和STEM表征铅铋共晶中腐蚀材料面临的挑战
利用4D-STEM和潜在空间分析追踪非晶GaAs中的纳米尺度再结晶路径
铈基氧化物中阴离子迁移对化学成分的影响
Solid State Ionics
IF3.3
材料依赖的光子电离辐射效应对Si和GaAs PIN二极管的影响:一项数值研究
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IF7.9
非晶GaAs在再结晶过程中结构与电子恢复之间的关键性脱节
Pt3O4中金属电导率的起源: 第一性原理研究
Electronic Structure
IF2.4
MOCVD通过与铟合金化制备Ga2O3的带隙工程
Nanomaterials
IF4.3
混合mg-al-ga-in尖晶石的新原子间势
砷化镓中点缺陷的能谱学:一项全面的密度泛函理论研究
晶界亚稳性控制纳米晶金属的辐照抗性
Materials & Design
IF7.9
在化学无序晶体材料中,大于非相关空位扩散的贡献。
Scripta Materialia
IF5.6
Hop-Decorate:一种用于在化学复杂材料中生成缺陷传输数据的自动化原子级工作流程

