抗辐射架构设计用于集成双PN结场效应调制的p-GaN HEMT

Luo, X.; Wu, Y.; Zuo, Y.; Gao, S. p-GaN HEMTs中的单粒子烧毁硬化：一种嵌入的极化调制复合势垒层方法。微电子学杂志（Microelectron. J.）2025, 165, 106842. [Google Scholar] [CrossRef]

基于芳纶纳米纤维膜的激光诱导石墨烯柔性应变传感器